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　　上海铌酸锂晶体是一种集压电、电光、声光、光弹、非线性、光折变及上海激光活性等效应于一体的稀有晶体，再加上自身机械功能安稳、易生产加工、耐热、抗腐蚀、原资料来源于丰厚、价格低廉、易成长成大晶体的优势，特别是施行不同掺杂后能展现出各种各样特殊功能，是迄今大家所发现的光子学功能较多、综合指标比较好的晶体，具备十分广阔的商场应用价值，所以也被称作光子年代的“光学硅”资料，广泛应用于高功能滤波器、电光器材、全息存储、3D全息显示、非线性光学器材、光量子通讯等多个方面。

　　铌酸锂晶体有两个特色尤其引人关注，一是铌酸锂晶体光电效应多，具备包含压电效应、电光效应、非线性光学效应、光折变效应、光生伏打效应、光弹效应、声光效应等多种光电功能;二是铌酸锂晶体的功能可调控性强，这是由铌酸锂晶体的晶格结构和丰厚缺陷结构所导致，铌酸锂晶体的许多功能能够凭借晶体组分、元素掺杂、价态控制等进行大幅度调控。

　　此外铌酸锂晶体的物理化学功能十分安稳，易于加工，光透过范围宽，具有比较大的双折射，还很容易制备高质量的光波导，因此基于铌酸锂晶体的光调制器在长距离通讯上有着无法比拟的优势——不只有着极小的啁啾(chirp)效应、高调制带宽、良好消光比，并且安稳性适当优胜，是高速器材中佼佼者，因而广泛应用于高速高带宽的长距离通讯中。

　　鉴于铌酸锂具备飞秒量级响应速度的线性电光效应(泡克尔斯效应)，宽的通明窗口等物理特性，它已经成为具代表性的电光调制资料之一。基于体铌酸锂晶体的调制器在三十年前已实现商用化，体现出优良的功能。

　　但是传统铌酸锂调制器依赖于弱光学限制的钛扩散或质子交流光波导，这也使得它在调制功率、尺度和带宽上已无法进一步进步。经过在薄膜铌酸锂集成渠道刻蚀形成强光学限制的波导，为高功能、小型化电光调制的研制打下基础，是助力上海光通讯网络突破带宽和瓶颈的核心技术。

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