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　　据悉，铌酸锂调制器运用上海铌酸锂晶体的电光效应并依据光电子集成生产工艺而成，能够将电子数据转换为光子信息，是完成电光转换的首要元件。详细它有什么出众之处，先要从其原材料上海铌酸锂晶体的电光效应及运用开始了解。

　　铌酸锂晶体有两个特色十分引人重视，一是铌酸锂晶体光电效应多，具备包括压电效应、电光效应、非线性光学效应、光折变效应、光生伏打效应、光弹效应、声光效应等多种光电功能;二是铌酸锂晶体的功能可调控性强，这是由铌酸锂晶体的晶格结构和充分的缺点结构所引起，铌酸锂晶体的许多功能能够从晶体组分、元素掺杂、价态控制等进行大幅度调控。

　　另外铌酸锂晶体的物理化学功能十分安稳，易于加工，光透过规模宽，具有很大的双折射，并且容易备制有价值的光波导，所以基于铌酸锂晶体的光调制器在长距离通信中具有无与伦比的优势——不仅有着很小的啁啾(chirp)效应、高调制带宽、良好消光比，并且安稳性十分优越，是高速器材中佼佼者，所以被普遍使用于高效高带宽的长距离通信中。

　　铌酸锂晶体的制备

　　1、同成分铌酸锂晶体

　　针对同成分铌酸锂晶体来讲，其制备首要选用提拉法。虽然泡生法、导模法、温梯法等办法也曾用来进行铌酸锂晶体的制备，但是与提拉法相比并没明显的优势或具备明确的使用需求，因而并未得到广泛的重视。

　　2、近化学计量比铌酸锂晶体

　　近化学计量比铌酸锂晶体虽然具备许多优秀的光电功能，但是其配比违背固液同成分共熔点，不能选用惯例的提拉法生长高质量的晶体，目前首要是采用的制备办法有富锂熔体法、助熔剂法、分散法。

　　3、铌酸锂单晶薄膜

　　铌酸锂单晶薄膜能够运用在光波导、声学器材等微纳结构及其制备硅基等混合集成器材等领域，人们很早就开始探索铌酸锂单晶薄膜的制备，只不过真正得到使用的办法只有“离子切片”(IonSlicing)技术，目前已经完成了商品化，能够提供厚度为300~900nm的单晶薄膜产品。

　　铌酸锂晶体集多种光电功能于一体且能够到达实用化功能要求，在光电材料中特别稀有。伴随着铌酸锂晶体集成光子学芯片理论、制备及运用等核心技术的开展与完善，铌酸锂晶体变成光子年代的“光学硅”材料，为集成光子学的开展提供战略性基础支撑。

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