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　　具有“光学硅”之称的铌酸锂是一种集光折变效应、非线性效应、电光效应、声光效应、压电效应与热电效应等于一体的资料，可以制备集成光子回路中的光波导、光开关、分/合束器、压电调制器、热电调制器与电光调制器等器材，其中铌酸锂调制器是光子集成回路和现代通信的核心器材，已成为当前电光调制器市场的主流产品。

　　铌酸锂是一种十分重要的非线性资料，它的透明波段十分宽，从350nm到5.2um，其在非线性光学(上海激光频率转换)、光电调制等领域应用十分广泛。

　　现在，铌酸锂调制器主要应用于长距离通信中，其对功能要求较高，而体积成为次要考虑因素。但是在数据中心中，功能相对要求较低，而对体积和功耗的要求更高，铌酸锂调制器显然不如硅基、InP等片上集成的调制器受青睐。

　　为了减小其体积，研究人员做了许多测验。比如在Si衬底上键合一层铌酸锂薄膜，从而再加工波导和RF电极，形成调制器。

　　总的说来，通过这么多年的发展，铌酸锂调制器技能现已十分成熟，其功能优异，应用广泛。可以借鉴其高速RF电极的规划，应用在硅基调制器的规划上。

　　电光Q开关采用了高光学质量铌酸锂。铌酸锂的光电效应使其对几种激光类型的普克尔盒Q开关上具有极其重要的效果(包括:Nd:YAG、Nd:YALO、Nd:YLF和Er:YLF)。

　　上海铌酸锂晶体Q开关可一起用于军事和商业应用，包括目标方位传送体系、激光测距和眼科手术。当使用在垂直于光轴或Z轴的横向电场上时，铌酸锂可以在一个较大的温度范围内表现出高消光比、极低传输损耗、低开关电压和恒温的特性。这些晶体的特性，结合根据铌酸锂晶体的成长及优良的抗反射(AR)镀膜方面的专业知识，使其成为军用加固、工业应用中的理想选择。

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