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　　上海YVO4晶体在可见光及近红外波段有杰出的透光性，透光规模较宽，硬度较高，可人工生长出大块优质晶体，而且易于加工，价格较低，是光通信无源器材如光隔离器、旋光器、延迟器、偏振器中的关键资料。

　　上海YVO4晶体(n。=2.02,ng=2.25,532 nm)相比KDP(n。=1.51,n。=1.47,532nm)及其他光学晶体各向异性更强，负折射相关角度更大。为确认YVO4晶体的负折射与应用，本文详细分析YVO4晶体光轴取向不一起空气与晶体的界面上e光负折射的最大入射角与出射角规模及其与光轴角的关系，并分析e光在孪晶界面上的偏折特征。

　　单轴晶体的介电常数6=6,≠6，上海激光从均匀介质入射到单轴晶体界面时o光和e光传输速度不同导致双折射现象，o光遵从Snell定理，e光与光轴方向夹角不一起折射率不同不遵从Snell定理。双折射表现为o、e光相位或许出射方向的不同。自匀称的介质向单轴晶体界面入射时，入射角在一定规模内，e光会出现负折射现象。负折射的临界入射角较大值和较大负折射角，数值都取决于双折射率△n=n。-n,,且△n越大临界入射角和最大负折射角越大。

　　自然光入射到空气和单轴晶体界面，观察到o光、e光两条折射光线，均为正折射，调整入射角度能够观察到折射e光和入射光在法线同一侧的负折射状况。YVO4晶体用于观察丈量以上双折射及负折射特性，鉴于e光在单轴晶体中的特殊状况，也可用多块单轴晶体恰当组合规划成相应的e光导波器材。

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